語言選擇：
多坩堝水平安裝電子束蒸發源-EBVM是為高蒸發速率的低蒸氣壓材料設計的，尤其是高純材料以及難熔材料，如Mo，Nb，Ta，W，Zr，Al，及半導體材料Si和Ge，典型應用于SiGe的MBE系統。
特點：
法蘭尺寸：CF200／CF250
腔體內直徑：195mm/245mm
腔體內長度：對于4個8cc坩堝和3個15cc坩堝：250mm; 對于6個8cc坩堝：330mm; 對于6個15cc坩堝：350mm
坩堝容量：8cc, 15cc
加熱區域：直徑30mm(15°傾角)×15mm深度，直徑37mm(15°傾角)×17mm深度
燈絲類型：W螺旋線圈，電子發射燈絲
外部烘烤溫度：200℃
工作氣壓：1×10-11mbar~1×10-5mbar
加速電壓：4-10kV
電子束功率：最高6kW(3kW,根據電源功率)
燈絲電流：最高50A
束斑尺寸：直徑約5mm
電子束發射方式：磁場偏轉270°
束斑偏轉：x方向±3A，y方向±3A
冷卻方式：循環水冷卻，水流量6l/min，壓力3bar
選配：水冷屏，擋板
電話：010-80698356
郵箱：Info@be-instruments.com
地址： 北京市朝陽區霄云路36號國航大廈1310室
